説明
説明なし構成
HfO2 deposition: − Temperature: 320 ºC − Pressure: 0.5 Torr − Precursor: TEMAH (Tetrakisethymethyllaminohafnium) − Precursor carrier gas: Ar − Process purge gas: Ar − HfO2 reaction: TEMAH half-reaction + O3 half-reaction Al2O3 deposition: − Temperature: 250 ºC − Pressure: 0.5 Torr − Precursor: TMA (Trimethylaluminum) − Precursor carrier gas: Ar − Process purge gas: Ar − Al2O3 reaction: TMA half-reaction + O3 half-reaction TiN deposition: − Temperature: 470 ºC − Pressure: 0.8 Torr − Precursor: TiCl4 (Titanium tetrachloride) − Precursor carrier gas: Ar − Process purge gas: Ar − TiN reaction: TiCl4 half-reaction + NH3 half-reactionOEMモデルの説明
提供なしドキュメント
ドキュメントなし
AIXTRON / GENUS
StrataGem 200
検証済み
カテゴリ
ALD
最終検証： 60日以上前
主なアイテムの詳細
状態：
Used
稼働ステータス:
Installed / Running
製品ID：
104535
ウェーハサイズ：
8"/200mm
ヴィンテージ：
2010
Have Additional Questions?
Logistics Support
Available
Money Back Guarantee
Available
Transaction Insured by Moov
Available
Refurbishment Services
Available
AIXTRON / GENUS
StrataGem 200
カテゴリ
ALD
最終検証： 60日以上前
主なアイテムの詳細
状態：
Used
稼働ステータス:
Installed / Running
製品ID：
104535
ウェーハサイズ：
8"/200mm
ヴィンテージ：
2010
Have Additional Questions?
Logistics Support
Available
Money Back Guarantee
Available
Transaction Insured by Moov
Available
Refurbishment Services
Available
説明
説明なし構成
HfO2 deposition: − Temperature: 320 ºC − Pressure: 0.5 Torr − Precursor: TEMAH (Tetrakisethymethyllaminohafnium) − Precursor carrier gas: Ar − Process purge gas: Ar − HfO2 reaction: TEMAH half-reaction + O3 half-reaction Al2O3 deposition: − Temperature: 250 ºC − Pressure: 0.5 Torr − Precursor: TMA (Trimethylaluminum) − Precursor carrier gas: Ar − Process purge gas: Ar − Al2O3 reaction: TMA half-reaction + O3 half-reaction TiN deposition: − Temperature: 470 ºC − Pressure: 0.8 Torr − Precursor: TiCl4 (Titanium tetrachloride) − Precursor carrier gas: Ar − Process purge gas: Ar − TiN reaction: TiCl4 half-reaction + NH3 half-reactionOEMモデルの説明
提供なしドキュメント
ドキュメントなし