説明
Polysilicon Etch構成
<p>Tool is operating in clean room.</p><p>Labelled as Collateral Asset.</p><p> </p><p>[Chamber A]</p><p>Chamber type:AdvantEdge G2</p><p>Gas config.(sccm)=MFC full scale</p><p>HBR(400）/CL2(50)/CL2(400)/O2(10)/</p><p>O2(100)/HE(400)/N2(200)/SF6(200)/</p><p>CF4(200)/Ar(400)</p><p> Source 13.56MHz, max 3000 W</p><p>Bias 13.56MHz Hz, max 1500 W</p><p>Lid Temp Control ~95℃</p><p>ESC Temp Control ~85℃</p><p> </p><p>[Chamber B]</p><p>Chamber type:AdvantEdge G2</p><p>Gas config.(sccm)=MFC full scale</p><p>HBR(400）/CL2(50)/CL2(400)/O2(10)/</p><p>O2(100)/HE(400)/N2(200)/SF6(200)/</p><p>CF4(200)/Ar(400)</p><p> Source 13.56MHz, max 3000 W</p><p>Bias 13.56MHz Hz, max 1500 W</p><p>Lid Temp Control ~95℃</p><p>ESC Temp Control ~85℃</p><p> </p><p>Pictures will be collected.</p><p>Missing or damaged parts: Not reported.</p>OEMモデルの説明
The Centura and Centura AP mainframe single-wafer, multi-chamber architectures enable integrated, sequential wafer processing in up to four process chambers for 150mm, 200mm, and 300mm wafers.ドキュメント
ドキュメントなし
APPLIED MATERIALS (AMAT)
CENTURA AP
検証済み
カテゴリ
Dry Etch
最終検証： 4日前
主なアイテムの詳細
状態：
Used
稼働ステータス:
不明
製品ID：
20022
ウェーハサイズ：
12"/300mm
ヴィンテージ：
不明
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Logistics Support
Available
Money Back Guarantee
Available
Transaction Insured by Moov
Available
Refurbishment Services
Available
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CENTURA AP
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Dry Etch
最終検証： 4日前
主なアイテムの詳細
状態：
Used
稼働ステータス:
不明
製品ID：
20022
ウェーハサイズ：
12"/300mm
ヴィンテージ：
不明
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説明
Polysilicon Etch構成
<p>Tool is operating in clean room.</p><p>Labelled as Collateral Asset.</p><p> </p><p>[Chamber A]</p><p>Chamber type:AdvantEdge G2</p><p>Gas config.(sccm)=MFC full scale</p><p>HBR(400）/CL2(50)/CL2(400)/O2(10)/</p><p>O2(100)/HE(400)/N2(200)/SF6(200)/</p><p>CF4(200)/Ar(400)</p><p> Source 13.56MHz, max 3000 W</p><p>Bias 13.56MHz Hz, max 1500 W</p><p>Lid Temp Control ~95℃</p><p>ESC Temp Control ~85℃</p><p> </p><p>[Chamber B]</p><p>Chamber type:AdvantEdge G2</p><p>Gas config.(sccm)=MFC full scale</p><p>HBR(400）/CL2(50)/CL2(400)/O2(10)/</p><p>O2(100)/HE(400)/N2(200)/SF6(200)/</p><p>CF4(200)/Ar(400)</p><p> Source 13.56MHz, max 3000 W</p><p>Bias 13.56MHz Hz, max 1500 W</p><p>Lid Temp Control ~95℃</p><p>ESC Temp Control ~85℃</p><p> </p><p>Pictures will be collected.</p><p>Missing or damaged parts: Not reported.</p>OEMモデルの説明
The Centura and Centura AP mainframe single-wafer, multi-chamber architectures enable integrated, sequential wafer processing in up to four process chambers for 150mm, 200mm, and 300mm wafers.ドキュメント
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