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説明
CrystalFlex HPVE Reactor furnace GaN wafer for R&D and/or Production構成
SPECS: Growth rate - Up to 200 microns/hour Growth pressure - Atmospheric operation Maximum Furnace Temp - 1200°C Carrier gas - Inert gas of N2 or Ar Reactant Gas - HCl and NH Wafer capacity Wafer size - Max Load 50mm - 12 75mm - 4 100mm - 3 150mm - 1OEMモデルの説明
Multi-Wafer Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE) Reactorドキュメント
ドキュメントなし
カテゴリ
Epitaxial deposition (EPI)
最終検証： 60日以上前
主なアイテムの詳細
状態：
Used
稼働ステータス:
不明
製品ID：
89778
ウェーハサイズ：
6"/150mm
ヴィンテージ：
2009
Have Additional Questions?
Logistics Support
Available
Money Back Guarantee
Available
Transaction Insured by Moov
Available
Refurbishment Services
Available
OXFORD
CrystalFlex
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Epitaxial deposition (EPI)
最終検証： 60日以上前
主なアイテムの詳細
状態：
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不明
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CrystalFlex HPVE Reactor furnace GaN wafer for R&D and/or Production構成
SPECS: Growth rate - Up to 200 microns/hour Growth pressure - Atmospheric operation Maximum Furnace Temp - 1200°C Carrier gas - Inert gas of N2 or Ar Reactant Gas - HCl and NH Wafer capacity Wafer size - Max Load 50mm - 12 75mm - 4 100mm - 3 150mm - 1OEMモデルの説明
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