説明
CrystalFlex HPVE Reactor furnace GaN wafer for R&D and/or Production構成
SPECS: Growth rate - Up to 200 microns/hour Growth pressure - Atmospheric operation Maximum Furnace Temp - 1200°C Carrier gas - Inert gas of N2 or Ar Reactant Gas - HCl and NH Wafer capacity Wafer size - Max Load 50mm - 12 75mm - 4 100mm - 3 150mm - 1OEMモデルの説明
Multi-Wafer Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE) Reactorドキュメント
ドキュメントなし
OXFORD
CrystalFlex
検証済み
カテゴリ
Epitaxial deposition (EPI)
最終検証： 60日以上前
主なアイテムの詳細
状態：
Used
稼働ステータス:
不明
製品ID：
89778
ウェーハサイズ：
6"/150mm
ヴィンテージ：
2009
Have Additional Questions?
Logistics Support
Available
Money Back Guarantee
Available
Transaction Insured by Moov
Available
Refurbishment Services
Available
OXFORD
CrystalFlex
カテゴリ
Epitaxial deposition (EPI)
最終検証： 60日以上前
主なアイテムの詳細
状態：
Used
稼働ステータス:
不明
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ウェーハサイズ：
6"/150mm
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CrystalFlex HPVE Reactor furnace GaN wafer for R&D and/or Production構成
SPECS: Growth rate - Up to 200 microns/hour Growth pressure - Atmospheric operation Maximum Furnace Temp - 1200°C Carrier gas - Inert gas of N2 or Ar Reactant Gas - HCl and NH Wafer capacity Wafer size - Max Load 50mm - 12 75mm - 4 100mm - 3 150mm - 1OEMモデルの説明
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