説明
説明なし構成
Plasma Enhanced CVD system (PECVD) Deposition of SiO2, Si3N4 and a-Si RF power: 0-400 W ICP power: 0-1300 W Temperatures: RT to 300°C Gases available: Ar, SiH4, NH3, N2, O2, NF3, N2O He for substrate heat transfer Maximum wafer size: 4"OEMモデルの説明
Plasma Enhanced CVD system (PECVD)ドキュメント
ドキュメントなし
カテゴリ
PECVD
最終検証： 60日以上前
主なアイテムの詳細
状態：
Used
稼働ステータス:
不明
製品ID：
97600
ウェーハサイズ：
4"/100mm
ヴィンテージ：
不明
Logistics Support
Available
Transaction Insured by Moov
Available
Refurbishment Services
Available
MICROSYSTEMS
MICROSYS 200
カテゴリ
PECVD
最終検証： 60日以上前
主なアイテムの詳細
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Used
稼働ステータス:
不明
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97600
ウェーハサイズ：
4"/100mm
ヴィンテージ：
不明
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Available
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Plasma Enhanced CVD system (PECVD) Deposition of SiO2, Si3N4 and a-Si RF power: 0-400 W ICP power: 0-1300 W Temperatures: RT to 300°C Gases available: Ar, SiH4, NH3, N2, O2, NF3, N2O He for substrate heat transfer Maximum wafer size: 4"OEMモデルの説明
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