説明
PECVD RF Substrate: 13.56 MHz Pump Requirements: Blower Temperature Range (C): 200-350C Deposition Rate: >400 A/min Uniformity (Within Wafer): <+/-5% Uniformity (Wafer to Wafer): <+/-2.5%構成
構成なしOEMモデルの説明
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) reactorドキュメント
ドキュメントなし
UNAXIS
790
カテゴリ
PECVD
最終検証： 2日前
主なアイテムの詳細
状態：
Used
稼働ステータス:
不明
製品ID：
138844
ウェーハサイズ：
3"/75mm, 4"/100mm, 5"/125mm, 6"/150mm
ヴィンテージ：
2002
Logistics Support
Available
Transaction Insured by Moov
Available
Refurbishment Services
Available
説明
PECVD RF Substrate: 13.56 MHz Pump Requirements: Blower Temperature Range (C): 200-350C Deposition Rate: >400 A/min Uniformity (Within Wafer): <+/-5% Uniformity (Wafer to Wafer): <+/-2.5%構成
構成なしOEMモデルの説明
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) reactorドキュメント
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